双N通道60 -V （D -S ）的MOSFET
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DTM4946
产品概述
V
DS
(V)
60
R
DS （ ON）
(Ω)
0.035在V
GS
= 10 V
0.040在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
7.0
5.8
Q
g
（典型值）。
9.2 NC
特点
•
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 175 ° C最高结温
• 100 % R
g
经过测试
•符合RoHS指令2002/95 / EC
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
D
1
D
2
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源漏电流二极管
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0 1毫亨
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
60
± 20
7.0
5.5
5.3
A，B
4.4
A，B
30
3.1
2
A，B
12
7.2
3.7
2.6
2.4
A，B
1.7
A，B
- 55〜 175
°C
W
mJ
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
A，C
最大结到脚（漏极）
t
≤
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
33
最大
62.5
41
单位
° C / W
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。 T = 10秒。
Ç 。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
ð 。在稳态条件下最大为110 ° C / W 。
1
DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
