欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

DTM4459 参数 Datasheet PDF下载

DTM4459图片预览
型号: DTM4459
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: P通道30 -V ( DS ) MOSFET TrenchFET功率MOSFET [P-Channel 30-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 1551 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
 浏览型号DTM4459的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DTM4459的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTM4459的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DTM4459的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTM4459的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DTM4459的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DTM4459的Datasheet PDF文件第8页浏览型号DTM4459的Datasheet PDF文件第9页  
典型特征
(25℃ ,除非另有说明)
100
0.030
I
D
= 15 A
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
www.din-tek.jp
DTM4459
10
I
S
- 源电流( A)
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.024
0.018
0.1
0.012
T
J
= 125 °C
0.006
T
J
= 25 °C
0.01
0.001
0.0
0.000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.8
200
导通电阻与栅极至源极电压
0.6
V
GS ( TH)
方差
(V)
I
D
= 250
µA
160
0.4
功率(W)的
150
120
I
D
= 5毫安
0.2
80
0.0
40
- 0.2
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
0
0 .0 0 1
0.01
T
J
- 温度(℃ )
0.1
时间(s)
1
10
阈值电压
100
有限
by
R
DS ( ON)
*
10
I
D
- 漏电流( A)
单脉冲功率,结到环境
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.01
0.01
BVDSS
10 s
DC
100
0.1
1
10
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
R
DS ( ON)
为特定网络版
安全工作区
4