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    DTM4459 参数 Datasheet PDF下载

    DTM4459图片预览
    型号： DTM4459
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P通道30 -V （ DS ） MOSFET TrenchFET功率MOSFET [P-Channel 30-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 1551 K
    品牌： DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
     浏览型号DTM4459的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DTM4459的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTM4459的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DTM4459的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTM4459的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DTM4459的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DTM4459的Datasheet PDF文件第8页浏览型号DTM4459的Datasheet PDF文件第9页  
    典型特征
    （25℃ ，除非另有说明）
    70
    V
    GS
    = 10通4
    V
    56
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    www.din-tek.jp
    DTM4459
    4.0
    3.2
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    42
    2.4
    T
    C
    = 125 °C
    1.6
    T
    C
    = 25 °C
    0.8
    T
    C
    = - 55 °C
    28
    V
    GS
    = 3
    V
    14
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    V
    DS
    - 漏 - 源
    电压
    (V)
    5
    0.0
    0.0
    0.8
    1.6
    2.4
    3.2
    4.0
    V
    GS
    - 栅极 - 源极
    电压
    (V)
    输出特性
    0.008
    9000
    传输特性
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    0.007
    Ç - 电容（pF ）
    V
    GS
    = 4.5
    V
    0.006
    7200
    C
    国际空间站
    5400
    0.005
    V
    GS
    = 10
    V
    0.004
    3600
    1800
    C
    RSS
    C
    OSS
    0.003
    0
    14
    28
    42
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    56
    70
    0
    0
    6
    12
    18
    24
    V
    DS
    - 漏 - 源
    电压
    (V)
    30
    导通电阻与漏电流
    10
    1.6
    电容
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（标准化）
    I
    D
    = 20 A
    V
    GS
    - 栅极 - 源极
    电压
    (V)
    8
    V
    DS
    = 10
    V
    V
    DS
    = 15
    V
    I
    D
    = 15 A
    1.4
    V
    GS
    = 10
    V
    1.2
    V
    GS
    = 4.5
    V
    1.0
    6
    V
    DS
    = 20
    V
    4
    2
    0.8
    0
    0
    30
    60
    90
    120
    150
    Q
    g
    - 总栅极电荷（ NC）
    0.6
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    栅极电荷
    导通电阻与结温
    3

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