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    DTB6035_13 参数 Datasheet PDF下载

    DTB6035_13图片预览
    型号： DTB6035_13
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道减少的Qg ，快速开关MOSFET [N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET]
    分类和应用： 开关
    文件页数/大小： 6 页 / 1274 K
    品牌： DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
     浏览型号DTB6035_13的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DTB6035_13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTB6035_13的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DTB6035_13的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTB6035_13的Datasheet PDF文件第6页  
    典型特征
    0.06
    25 ℃，除非另有说明
    1400
    1200
    C
    国际空间站
    Ç - 电容（pF ）
    1000
    800
    600
    400
    C
    OSS
    200
    0
    C
    RSS
    0
    10
    20
    30
    www.din-tek.jp
    DTB6035
    0.05
    R
    DS （ ON）
    -
    导通电阻（ Ω ）
    0.04
    V
    GS
    = 4.5
    V
    0.03
    V
    GS
    = 10
    V
    0.02
    0.01
    0.00
    0
    8
    16
    24
    32
    40
    40
    50
    60
    I
    D
    -
    漏电流（ A）
    V
    DS
    - 漏 - 源
    电压
    (V)
    导通电阻与漏电流
    10
    I
    D
    = 6.0
    V
    2.2
    I
    D
    = 6.0 A
    2.0
    8
    R
    DS （ ON）
    -
    导通电阻
    （归一化）
    V
    DS
    = 30
    V
    6
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    0.6
    - 50
    电容
    V
    GS
    - 栅极 - 源极
    电压
    (V)
    V
    GS
    = 10
    V
    4
    2
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    Q
    g
    -
    总栅极电荷（ NC）
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    栅极电荷
    50
    0.06
    导通电阻与结温
    0.05
    R
    DS （ ON）
    -
    导通电阻（ Ω ）
    I
    S
    - 源电流（ A）
    T
    J
    = 175 °C
    10
    T
    J
    = 25 °C
    0.04
    I
    D
    = 6.0 A
    0.03
    0.02
    0.01
    1
    0.00
    0.00
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    SD
    - 源极到漏极
    电压
    (V)
    V
    GS
    - 栅极 - 源极
    电压
    (V)
    源极 - 漏极二极管正向电压
    导通电阻与栅极至源极电压
    3

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