DTB6035_13 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DTB6035_13
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内容描述：	N沟道减少的Qg ，快速开关MOSFET [N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET]
分类和应用：	开关
文件页数/大小：	6 页 / 1274 K
品牌：	DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]

N沟道降低Q

，快速开关MOSFET

www.din-tek.jp

DTB6035

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

0.028在V

= 10 V

0.04在V

特点

(A)

4.5 V

•

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

• TrenchFET

功率MOSFET

• 175 ° C最高结温

•符合RoHS指令2002/95 / EC

SOT-223

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

= 175 °C)

漏电流脉冲

雪崩电流

单脉冲雪崩能量

最大功率耗散

工作结存储温度范围

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

符号

, T

英镑

3.3

2.3

- 55〜 175

10 s

稳定状态

± 20

6.1

1.7

1.2

6.0

5.0

单位

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

最大结到脚（漏极）

注意事项：

一。表面安装在1" X 1" FR4板。

≤

10 s

稳定状态

符号

thJA

thJF

典型

最大

单位

° C / W

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