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BTD2150A3 参数 Datasheet PDF下载

BTD2150A3图片预览
型号: BTD2150A3
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内容描述: 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 170 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
接地发射极输出特性
2500
集电极电流IC --- (MA )
规格。编号: C848A3
发行日期: 2005年2月4日
修订日期: 2005年6月3日
页页次: 3/5
接地发射极输出特性
3500
10mA
8mA
25mA
20mA
15mA
10mA
2000
1500
1000
500
0
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压VCE --- (V )
集电极电流IC --- (MA )
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
6mA
4mA
2mA
IB=0mA
5mA
IB=0mA
6
0
1
2
3
4
5
6
集电极到发射极电压VCE --- (V )
电流增益VS集电极电流
1000
VCE=5V
饱和电压与集电极电流
1000
VCE ( SAT )
饱和电压--- (MV )
电流增益HFE ---
100
IC=40IB
100
VCE=2V
VCE=1V
10
IC=10IB
IC=20IB
10
1
10
100
1000
集电极电流IC --- (MA )
10000
1
1
10
100
1000
集电极电流IC --- (MA )
10000
饱和votlage VS集电极电流
10000
功率降额曲线
800
功耗--- PD (MW )
VBE(sat)@IC=10IB
700
600
500
400
300
200
100
0
0
50
100
150
200
饱和电压--- (MV )
1000
100
1
10
100
1000
10000
集电极电流IC --- (MA )
环境温度--- TA( ℃ )
BTD2150A3
CYStek产品规格