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    BTD2150A3 参数 Datasheet PDF下载

    BTD2150A3图片预览
    型号： BTD2150A3
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    内容描述： 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 170 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BTD2150A3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BTD2150A3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BTD2150A3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BTD2150A3的Datasheet PDF文件第5页  
    CYStech电子股份有限公司
    低VCESAT NPN外延平面晶体管
    规格。编号： C848A3
    发行日期： 2005年2月4日
    修订日期： 2005年6月3日
    页页次： 1/5
    BTD2150A3
    特点
    •
    低V
    CE
    （SAT） ，通常为0.25V我
    C
    / I
    B
    = 2A / 100毫安
    0.1V的我
    C
    / I
    B
    = 1A / 50毫安
    •
    出色的电流增益特性
    •
    补充BTB1424A3
    •
    无铅封装
    符号
    BTD2150A3
    概要
    TO-92
    B：基本
    C：收藏家
    E：发射器
    欧洲央行
    绝对最大额定值
    (Ta=25°C)
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    功耗
    结温
    储存温度
    注： * 1 。单脉冲PW ≦ 350
    µ
    s,Duty≦2%.
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    （DC）的
    I
    C
    （脉冲）
    Pd
    Tj
    TSTG
    极限
    80
    50
    6
    3
    7
    （注）
    750
    150
    -55~+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mW
    °C
    °C
    BTD2150A3
    CYStek产品规格

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