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    BTD1805J3 参数 Datasheet PDF下载

    BTD1805J3图片预览
    型号： BTD1805J3
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    内容描述： 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 164 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BTD1805J3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BTD1805J3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BTD1805J3的Datasheet PDF文件第4页  
    CYStech电子股份有限公司
    特性曲线
    电流增益VS集电极电流
    1000
    1000
    规格。编号： C820J3
    发行日期： 2004年12月19日
    修订日期： 2005年7月26日
    页页次： 3月4日
    饱和电压与集电极电流
    VCE=2V
    饱和电压--- （MV ）
    电流增益HFE ---
    100
    VCESAT@IC=40IB
    VCE=1V
    VCESAT@IC=20IB
    100
    1
    10
    100
    1000
    10000
    集电极电流IC --- （MA ）
    10
    1
    10
    100
    1000
    10000
    集电极电流IC --- （MA ）
    饱和电压与集电极电流
    1000
    1000
    在电压随集电极电流
    饱和电压--- （MV ）
    VBESAT@IC=20IB
    对电压--- （MV ）
    VBEON@VCE=1V
    100
    1
    10
    100
    1000
    10000
    集电极电流IC --- （MA ）
    100
    1
    10
    100
    1000
    10000
    集电极电流IC --- （MA ）
    功率降额曲线
    1.2
    功率降额曲线
    16
    功耗--- PD （ W）
    1
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    环境温度--- TA （ ℃ ）
    功耗--- PD （ W）
    14
    12
    10
    8
    6
    4
    2
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    案例Temeprature --- TC （ ℃ ）
    BTD1805J3
    CYStek产品规格

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