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    BTD1805J3 参数 Datasheet PDF下载

    BTD1805J3图片预览
    型号： BTD1805J3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 164 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BTD1805J3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BTD1805J3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BTD1805J3的Datasheet PDF文件第4页  
    CYStech电子股份有限公司
    绝对最大额定值
    (Ta=25°C)
    参数
    集电极 - 基极电压（I
    E
    =0)
    集电极 - 发射极电压（I
    B
    =0)
    发射极 - 基极电压（I
    C
    =0)
    集电极电流（ DC ）
    集电极电流（脉冲）
    基极电流
    功率耗散@ T
    A
    =25℃
    功率耗散@ T
    C
    =25℃
    热阻，结到环境
    热阻，结到外壳
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    I
    B
    P
    D
    P
    D
    R
    θJA
    R
    θJC
    Tj
    TSTG
    规格。编号： C820J3
    发行日期： 2004年12月19日
    修订日期： 2005年7月26日
    页页次： 2/4
    范围
    150
    60
    7
    5
    10
    （注1 ）
    2
    1
    15
    125
    8.33
    150
    -55~+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    ° C / W
    ° C / W
    °C
    °C
    注： 1。单脉冲私服≦ 380μs ，占空比≦ 2 ％ 。
    特征
    (Ta=25°C)
    符号
    BV
    CBO
    * BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    *V
    CE （ SAT ）
    1
    *V
    CE （ SAT ）
    2
    *V
    CE （ SAT ）
    3
    *V
    CE （ SAT ）
    4
    *V
    BE （ SAT ）
    *h
    FE
    1
    *h
    FE
    2
    *h
    FE
    3
    f
    T
    COB
    t
    on
    t
    英镑
    t
    f
    分钟。
    150
    60
    7
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    200
    85
    20
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    200
    240
    -
    0.9
    -
    -
    -
    150
    50
    50
    1.35
    120
    马克斯。
    -
    -
    -
    0.1
    0.1
    50
    300
    400
    600
    1.2
    400
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    mV
    mV
    mV
    mV
    V
    -
    -
    -
    兆赫
    pF
    ns
    µs
    ns
    测试条件
    I
    C
    = 100μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    C
    = 100μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 80V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =5mA
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    =50mA
    I
    C
    = 3A ，我
    B
    =150mA
    I
    C
    = 5A ，我
    B
    =200mA
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    =100mA
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =100mA
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =5A
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =10A
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =50mA
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    V
    CC
    = 30V ，我
    C
    =10I
    B
    1=-10I
    B
    2=1A,
    R
    L
    =30
    Ω
    *脉冲测试：脉冲宽度
    ≤380µs,
    值班Cycle≤2 ％
    BTD1805J3
    CYStek产品规格

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