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    BTA1952J3 参数 Datasheet PDF下载

    BTA1952J3图片预览
    型号： BTA1952J3
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    内容描述： 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 232 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BTA1952J3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BTA1952J3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BTA1952J3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BTA1952J3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BTA1952J3的Datasheet PDF文件第6页  
    CYStech电子股份有限公司
    特性曲线
    电流增益VS集电极电流
    1000
    饱和电压--- （MV ）
    VCE=4V
    规格。编号： C601J3
    发行日期： 2004年5月17日
    修订日期： 2009.02.04
    页页次： 3/6
    饱和电压与集电极电流
    1000
    VCE(SAT)@IC=10IB
    电流增益---
    的hFE
    100
    10
    100
    1
    10
    100
    1000
    集电极电流IC --- （MA ）
    10000
    1
    1
    10
    100
    1000
    集电极电流IC --- （MA ）
    10000
    在电压随集电极电流
    10000
    功耗--- PD （ W）
    VBE(on)@VCE=4V
    功率降额曲线
    1.2
    1
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    对电压--- （MV ）
    1000
    100
    0.1
    1
    10
    100
    1000
    集电极电流IC --- （MA ）
    10000
    0
    50
    100
    150
    环境温度--- TA （ ℃ ）
    200
    功率降额曲线
    12
    功耗--- PD （ W）
    10
    8
    6
    4
    2
    0
    0
    50
    100
    150
    外壳温度--- TC （ ℃ ）
    200
    BTA1952J3
    CYStek产品规格

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