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BTA1952J3 参数 Datasheet PDF下载

BTA1952J3图片预览
型号: BTA1952J3
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内容描述: 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 232 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
特征
(Ta=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
*V
BE ( SAT )
*h
FE
1
*h
FE
2
f
T
分钟。
-100
-80
-5
-
-
-
-
100
120
-
典型值。
-
-
-
-
-
-0.3
-
-
-
120
马克斯。
-
-
-
-10
-10
-1.0
-1.5
-
390
-
单位
V
V
V
μA
μA
V
V
-
-
兆赫
规格。编号: C601J3
发行日期: 2004年5月17日
修订日期: 2009.02.04
页页次: 2/6
测试条件
I
C
= -50μA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -50μA ,我
C
=0
V
CB
= -100V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
I
C
= -2A ,我
B
=-0.2A
I
C
= -2A ,我
B
=-0.2A
V
CE
= -3V ,我
C
=-0.5A
V
CE
= -2V ,我
C
=-1A
V
CE
= -5V ,我
C
= -500mA , F = 30MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380μs,
值班Cycle≤2 %
分类h及
FE
2
范围
Q
120~270
R
180~390
订购信息
设备
BTA1952J3
TO-252
(符合RoHS标准)
航运
2500个/带卷&
记号
A1952
BTA1952J3
CYStek产品规格