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    BSS84S6R 参数 Datasheet PDF下载

    BSS84S6R图片预览
    型号： BSS84S6R
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双P沟道MOSFET [Dual P-Channel MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 305 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BSS84S6R的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSS84S6R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS84S6R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSS84S6R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSS84S6R的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSS84S6R的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BSS84S6R的Datasheet PDF文件第8页  
    CYStech电子股份有限公司
    典型特征（续）
    电容VS漏 - 源极电压
    -V
    GS （ TH）
    ，归一化门限电压
    100
    西塞
    规格。编号： C465S6R
    发行日期： 2012年12月25日
    修订日期：
    页页次： 4/8
    阈值电压随结Tempearture
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0.6
    0.4
    I
    D
    =-250
    μ
    A
    ---电容（PF ）
    10
    C
    OSS
    CRSS
    1
    0.1
    1
    10
    -V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    100
    -60 -40 -20
    0
    20 40
    60 80 100 120 140 160
    TJ ，结温（ ° C）
    单脉冲功率额定值，结到环境
    （注意第1页）
    10
    -V
    GS
    ，栅源电压（ V）
    8
    功率（W）的
    6
    4
    2
    0
    0.001
    T
    J（下最大）
    =150°C
    T
    A
    =25°C
    R
    θJA
    =415°C/W
    栅极电荷特性
    10
    V
    DS
    =-40V
    I
    D
    =-170mA
    8
    6
    4
    2
    0
    0.01
    0.1
    1
    脉冲宽度（S ）
    10
    100
    0
    0.6
    1.2
    1.8
    2.4
    QG ，总栅极电荷（ NC）
    3
    3.6
    最大安全工作区
    1
    R
    DS （ ON）
    有限
    100
    μ
    s
    1ms
    10ms
    100ms
    最大漏极电流与JunctionTemperature
    0.2
    0.18
    0.16
    0.14
    0.12
    0.1
    0.08
    0.06
    0.04
    0.02
    0
    25
    T
    A
    = 25 ° C，V
    GS
    = -5V ，R
    θJA
    =415°C/W
    0.1
    0.01
    T
    A
    = 25°C ， TJ = 150 ° C，
    V
    GS
    = -5V ，R
    θ
    JA
    =415°C/W
    单脉冲
    1s
    DC
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    -V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    100
    -I
    D
    ，最大漏极电流（ A）
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    50
    75
    100
    125
    150
    TJ ，结温（ ° C）
    175
    BSS84S6R
    CYStek产品规格

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