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BSS84S6R 参数 Datasheet PDF下载

BSS84S6R图片预览
型号: BSS84S6R
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内容描述: 双P沟道MOSFET [Dual P-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 305 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
热性能
参数
热阻,结到环境(PCB安装)
(注)
注意:
表面安装在1平方英寸的FR - 4电路板, t≤5s铜垫。
规格。编号: C465S6R
发行日期: 2012年12月25日
修订日期:
页页次: 2月8日
符号
RTH , JA
极限
415
单位
° C / W
电气特性(环境温度为25 ℃,除非另有说明)
符号
STATIC
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
*R
DS ( ON)
*G
FS
动态
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Qg
QGS
QGD
源极 - 漏极二极管
*V
SD
分钟。
-50
-1
-
-
-
-
-
-
80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-1.4
-
-
-
5
6
8
-
24
4.6
1.5
2.7
3.3
7.4
5
1.4
0.36
0.29
-0.85
马克斯。
-
-2
±
8
1
10
7
8.5
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-1.2
单位
V
V
μA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250μA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250μA
V
GS
=
±
20V, V
DS
=0
V
DS
=50V, V
GS
=0
V
DS
=40V, V
GS
= 0(环境温度为70
°C)
V
GS
= -10V ,我
D
=-100mA
V
GS
= -5V ,我
D
=-100mA
V
GS
= -3V ,我
D
=-30mA
V
DS
= -10V ,我
D
=-100mA
Ω
mS
pF
V
DS
=-25V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
V
DS
= -25V ,我
D
= -100mA ,V
GS
=-5V,
R
G
=3.3
Ω
ns
nC
V
DS
= -40V ,我
D
= -170mA ,V
GS
=-5V
V
V
GS
= 0V时,我
S
=-130mA
*脉冲测试:脉冲宽度
≤300μs,
值班Cycle≤2 %
订购信息
设备
BSS84S6R-0-T1-G
SOT-363
(无铅引脚电镀和无卤素封装)
航运
3000个/带卷&
BSS84S6R
CYStek产品规格