欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

CY7C136-55JC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C136-55JC图片预览
型号: CY7C136-55JC
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 2K ×8双端口静态RAM [2K x 8 Dual-Port Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 15 页 / 455 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号CY7C136-55JC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CY7C136-55JC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C136-55JC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C136-55JC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C136-55JC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C136-55JC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CY7C136-55JC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY7C136-55JC的Datasheet PDF文件第9页  
CY7C132 , CY7C136
CY7C136A , CY7C142 , CY7C146
电容
此参数是保证,但未经测试。
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
图3. AC测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于:
R2
347Ω
R1 893Ω
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
347Ω
OR
INT
R1 893Ω
5V
281Ω
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1兆赫,V
CC
= 5.0V
最大
15
10
单位
pF
pF
30 pF的
(a)
戴维南等效
(b)
3.0V
BUSY输出负载
(仅CY7C132 / CY7C136 )
所有的输入脉冲
10%
90%
90%
10%
& LT ; 5纳秒
250Ω
产量
1.4V
GND
& LT ; 5纳秒
开关特性
在整个工作范围(速度-15 , -25 , -30 )
7C136-15
7C146-15
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE低到低Z
CE高到高阻
CE低到通电
CE高到掉电
0
15
3
10
0
25
3
10
5
15
0
25
0
15
10
3
15
5
15
15
15
0
25
15
3
15
25
25
0
30
20
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
描述
7C132-25
7C136-25
7C142-25
7C146-25
最大
7C132-30
7C136-30
7C142-30
7C146-30
最大
单位
最大
阴影区域包含的初步信息。
笔记
8.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平, 0输入脉冲电平为3.0V指定我和输出负载
OL
/I
OH ,
和30 pF负载电容。
9.交流试验条件下使用V
OH
= 1.6V和V
OL
= 1.4V.
10.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备,叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
11. t
LZCE
, t
LZWE
, t
HZOE
, t
LZOE ,
t
HZCE ,
和T
HZWE
用C进行测试
L
= 5pF的如(二)
过渡测量± 500 mV的从稳态
电压。
文件编号: 38-06031牧师* E
第15 4