CY7C1350G
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... −65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
−55°C
至+ 125°C
在V电源电压
DD
相对于GND .........- 0.5V至+ 4.6V
在V电源电压
DDQ
相对于GND
.......−0.5V
到+ V
DD
直流电压应用到输出的
三态
..................................................−0.5V
到V
DDQ
+ 0.5V
范围
广告
产业
直流输入电压
....................................... −0.5V
到V
DD
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
环境
温度（T
A
)
0 ° C至+ 70°C
−40°C
至+ 85°C
V
DD
3.3V – 5%
+10%
V
DDQ
2.5V – 5%
到V
DD
电气特性
在整个工作范围
[10, 11]
参数
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
X
描述
电源电压
I / O电源电压
输出高电压
输出低电压
对于3.3V的I / O，I
OH
=
−4.0
mA
对于2.5V的I / O，I
OH
=
−1.0
mA
对于3.3V的I / O，I
OL
= 8.0毫安
对于2.5V的I / O，I
OL
= 1.0毫安
输入高电压
[10]
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
输入低
电压
[10]
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
输入漏电流GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
除ZZ和MODE
模式输入输入电流= V
SS
输入= V
DD
ZZ的输入电流
I
OZ
I
DD
输出漏
当前
输入= V
SS
输入= V
DD
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ ，
输出禁用
4纳秒的周期， 250兆赫
5 ns的周期， 200兆赫
6 ns的周期，频率为166 MHz
7.5 ns的周期， 133 MHz的
10 ns的周期， 100MHz的
I
SB1
自动CE
掉电
目前-TTL输入
V
DD
=最大，设备选中，
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
f = f
最大
= 1/t
CYC
4纳秒的周期， 250兆赫
5 ns的周期， 200兆赫
6 ns的周期，频率为166 MHz
7.5 ns的周期， 133 MHz的
10 ns的周期， 100兆赫
I
SB2
自动CE
掉电
目前， CMOS
输入
V
DD
=最大，设备选中，
所有速度
V
IN
≤
0.3V或V
IN
＆ GT ; V
DDQ
- 0.3V ， F = 0
−5
–5
30
5
325
265
240
225
205
120
110
100
90
80
40
2.0
1.7
–0.3
–0.3
−5
−30
5
测试条件
分钟。
3.135
2.375
2.4
2.0
0.4
0.4
V
DD
+ 0.3V
V
DD
+ 0.3V
0.8
0.7
5
马克斯。
3.6
V
DD
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
µA
µA
µA
µA
µA
µA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
DD
工作电压V
DD
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
当前
f = f
最大
= 1/t
CYC
注意事项：
10.过冲： V
IH
交流（AC） ＆ LT ; V
DD
+ 1.5V （脉冲宽度小于吨
CYC
/ 2 ） ，下冲： V
IL
交流（AC） > -2V （脉冲宽度小于吨
CYC
/2).
11. T
上电
：假设一个线性斜坡从0V到V
DD
（分钟）内200毫秒。在这段时间V
IH
＆ LT ; V
DD
和V
DDQ
＆ LT ; V
DD.
文件编号： 38-05524牧师* ˚F
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CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
