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CY7C188-25VC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CY7C188-25VC
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内容描述: 32K ×9的静态RAM [32K x 9 Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 146 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C188
开关特性
在整个工作范围
[2, 5]
7C188–15
参数
描述
分钟。
马克斯。
7C188–20
分钟。
马克斯。
7C188–25
分钟。
马克斯。
7C188–35
分钟。
马克斯。
单位
注意事项:
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间,定时1.5V的参考电平,为0的输入脉冲电平到3.0V ,并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载(b)部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下,叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
, LOW ,CE
2
高,和WE为低电平。所有这三个信号必须置为启动写任何
信号可以通过被拉高终止写操作。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期#3( WE控制, OE为低电平)是t的总和
HZWE
和T
SD
.
开关波形
读周期1号
[10,11]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
C188–5
读周期2号(芯片使能控制)
[11,12,13]
t
RC
CE
1
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
PD
ICC
50%
ISB
C188–6
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
阻抗
数据输出
写周期号1 (我们控制)
[8,13,14,15]
文件编号: 38-05053牧师**
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