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CY7C188-25VC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C188-25VC图片预览
型号: CY7C188-25VC
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内容描述: 32K ×9的静态RAM [32K x 9 Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 146 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C188
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线,没有测试。 )
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于GND
(引脚32至引脚16) .......................................... - 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................. -0.5V到V
CC
+0.5V
输出电流为输出( LOW ) ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
(每MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[2]
7C188–15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
电流 -
TTL输入
自动CE
掉电
当前
- CMOS输入
GND
V
I
V
CC
GND
V
I
V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大,
V
OUT
= GND
V
CC
=最大,
I
OUT
= 0 mA时,
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
,CE
1
V
IH
或CE
2
V
IL
,
V
IN
V
IH
或V
IN
V
IL
,
f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
1
V
CC
-0.3V或
CE
2
0.3V,
V
IN
V
CC
– 0.3V
或V
IN
0.3V , F = 0
测试条件
V
CC
=最小值,
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值,
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+5
+5
–300
120
2.2
–0.5
–5
–5
最大
7C188–20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+5
+5
–300
170
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C188–25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+5
+5
–300
165
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
7C188–35
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+5
+5
–300
160
马克斯。
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
mA
I
SB1
35
35
35
30
mA
I
SB2
10
15
15
15
mA
电容
[4]
参数
C
IN
:地址
C
IN
:控制
C
OUT
描述
输入电容
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= 5.0V
马克斯。
6
8
8
单位
pF
pF
pF
注意事项:
1.最小电压等于-2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
2 。见本规范为A组分组测试信息的最后一页。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
4.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
文件编号: 38-05053牧师**
第2页8