CY7C185-20VC 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CY7C185-20VC
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内容描述：	8K ×8静态RAM [8K x 8 Static RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 205 K
品牌：	CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]

CY7C185

开关波形

读周期1号

[10,11]

地址

OHA

数据输出

以前的数据有效

数据有效

读周期2号

[12,13]

ACE

美国能源部

LZOE

高阻抗

LZCE

供应

当前

50%

HZOE

HZCE

数据有效

ICC

50%

ISB

高

阻抗

数据输出

写周期号1 （我们控制）

[11,13]

地址

SCE2

PWE

SCEI

数据I / O

注14

HZOE

10.

11.

12.

13.

设备被连续地选择。 OE ，CE

= V

。 CE

= V

WE为高的读周期。

数据I / O为高阻抗，如果OE = V

，CE

= V

我们= V

，或CE

存储器的内部写入时间由CE的重叠限定

低，CE

HIGH和LOW WE 。 CE

我们必须较低， CE

必须为高电平

开始写。写可通过CE终止

或者我们是否高或CE

变低。的数据输入的设置和保持时间应参考的

该终止写信号的上升沿。

14.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。

数据

有效

文件编号： 38-05043修订版**

第11个5

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