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CY7C185-20VC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C185-20VC图片预览
型号: CY7C185-20VC
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内容描述: 8K ×8静态RAM [8K x 8 Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 205 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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185
CY7C185
8K ×8静态RAM
特点
•高速
- 15纳秒
•快速吨
美国能源部
•低有功功率
- 715毫瓦
•低待机功耗
- 220毫瓦
• CMOS的最佳速度/功耗
•易于扩展内存与CE
1
,CE
2
和OE特点
• TTL兼容的输入和输出
•自动断电时取消
由低电平有效芯片使能( CE提供
1
) ,高电平有效
片选( CE
2
)和低电平有效输出使能( OE )和
三态驱动器。该设备具有自动断电
功能( CE
1
或CE
2
) ,降低了功率消耗了70%
取消的时候。该CY7C185是在一个标准的300密耳宽
DIP , SOJ或SOIC封装。
一个低电平有效写使能信号( WE )控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE
1
而我们在 -
看跌期权是低和CE
2
为高电平时,对八个数据数据
输入/输出管脚( I / O的
0
通过I / O
7
)被写入到存储器
位置上的地址寻址的地址本
销(A
0
至A
12
) 。读出装置通过完成
选择器件和使能输出端,CE
1
和OE
低电平有效,CE
2
高电平有效,当我们处于非活动状态或
HIGH 。在这些条件下,该位置的内容AD-
通过在地址引脚信息穿着存在于
八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持,除非高阻抗状态
该芯片被选择,输出被使能,和写使能
(WE)为HIGH 。模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
[1]
该CY7C185是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
由8位认列8192字。简单的内存扩展
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ / SOIC
顶视图
NC
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CE
2
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
0
输入缓冲器
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
CE
1
CE
2
WE
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
256 x 32 x 8
ARRAY
列解码器
动力
检测放大器
I / O
7
A
10
A
11
选购指南
[2]
最大访问时间(纳秒)
最大工作电流(mA )
最大待机电流(mA )
7C185-15
15
130
40/15
7C185-20
20
110
20/15
7C185-25
25
100
20/15
7C185-35
35
100
20/15
注意:
1.对于SRAM的系统设计指南,请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记,在互联网上提供的www.cypress.com 。
2.对于军事规格,请参阅CY7C185A数据表。
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05043修订版**
A
12
A
0
A
9
3901北一街
圣荷西
CA 95134 • 408-943-2600
修订后的2002年9月13日