CY7C1399
开关特性
在整个工作范围
[5]
7C1399–12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
7C1399–15
分钟。
15
马克斯。
7C1399–20
分钟。
20
马克斯。
7C1399–25
分钟。
25
马克斯。
7C1399–35
分钟。
35
马克斯。
单位
ns
35
3
35
10
0
7
3
8
0
35
35
20
20
0
0
20
12
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
3
ns
ns
描述
分钟。
12
马克斯。
12
3
12
5
0
5
3
6
0
12
12
8
8
0
0
8
7
0
7
3
3
15
10
10
0
0
10
8
0
0
3
0
3
15
3
15
6
0
6
3
7
0
15
20
12
12
0
0
12
10
0
7
3
20
3
20
7
0
6
3
7
0
20
25
15
15
0
0
15
11
0
7
3
25
25
8
7
8
25
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[8]
WE高到低Z
[6]
写周期
[8, 9]
7
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[4]
t
R[4]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V
条件
分钟。
2.0
200
20
0
t
RC
马克斯。
单位
V
µA
µA
ns
ns
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和电容C
L
= 30 pF的。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的在交流测试负载。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
4
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
