CY7C1399
32K ×8 3.3V静态RAM
特点
•单3.3V电源
•适用于低电压高速缓存存储器的应用
•高速
- NS 12/15
•低有功功率
- 255毫瓦（最大）
• CMOS低待机功率（ L）
—
180
µW
（最大）中，f = F
最大
• 2.0V数据保留（L）的
—
40
µW
•低功耗的α免疫细胞6T
•塑料SOJ和TSOP封装
由低电平有效芯片使能（ CE）和主动提供
低输出使能（ OE ）和三态驱动器。该装置
具有自动断电功能，降低功耗
取消选择时，由多于95％的消耗。
一个低电平有效写使能信号（ WE）控制写入/
读存储器的操作。当CE和WE输入
上的八个数据输入/输出管脚（都为低，数据I / O的
0
通过I / O
7
）写入到由寻址的存储器位置
地址本上的地址引脚（A
0
至A
14
).
读出装置通过选择装置来实现
并启用输出， CE和OE低电平有效，虽然我们
保持非活动状态还是很高的。在这些条件下， CON组
位置帐篷解决了地址上的信息
引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。该CY7C1399采用28针标准可用
300密耳宽SOJ和TSOP I型包。
功能说明
该CY7C1399是一个高性能的3.3V的CMOS静态随机存取存储器
由8位， 32,768字。易内存扩展
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
输入缓冲器
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
CE
WE
OE
行解码器
I / O
2
检测放大器
32K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
C1399–2
I / O
5
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
C1399–1
选购指南
7C1399–12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（ μA ）
最大的CMOS待机电流（ μA ）长
12
60
500
50
7C1399–15
15
55
500
50
7C1399–20
20
50
500
50
7C1399–25
25
45
500
50
7C1399–35
35
40
500
50
赛普拉斯半导体公司
•
3901北一街
•
圣荷西
•
CA 95134
•
408-943-2600
1999年3月25日
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
