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CY7C1399B-15ZC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1399B-15ZC图片预览
型号: CY7C1399B-15ZC
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内容描述: 256K ( 32K ×8 )静态RAM [256K(32K x 8) Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 185 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1399B
开关特性
在整个工作范围
[6]
(续)
1399B-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[9, 10]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[9]
WE高到低Z
[7]
3
15
10
10
0
0
10
8
0
7
3
20
12
12
0
0
12
10
0
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[7]
OE高到高Z
[7, 8]
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
0
15
3
7
0
20
0
6
3
7
3
15
6
0
6
15
15
3
20
7
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
1399B-20
分钟。
马克斯。
单位
数据保持特性
(在工作范围 - L型专用)
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
Com'l
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.3V或
V
IN
& LT ; 0.3V
条件
分钟。
2.0
0
0
t
RC
20
马克斯。
单位
V
µA
ns
ns
文件编号: 38-05071牧师* D
第10个5