CY7C1399B
256K （ 32K ×8 ）静态RAM
特点
•单3.3V电源
•适用于低电压高速缓存存储器的应用
•高速
- 15年10月12日NS
•低有功功率
- 216毫瓦（最大）
•低功耗的α免疫细胞6T
•塑料SOJ和TSOP封装
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。该
设备具有自动断电功能，减少了
取消选择时的功耗的95％以上。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE
输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据
（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入到存储器位置
通过地址本上的地址引脚（A解决
0
至A
14
） 。读取装置，通过选择完成
该设备并启用输出， CE和OE低电平有效，
虽然我们仍然处于非活动状态还是很高的。在这些条件下
的位置通过对信息处理的内容
地址引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。该CY7C1399B是28针标准可用
300密耳宽SOJ和TSOP I型包。
功能说明
[1]
该CY7C1399B是一个高性能的3.3V的CMOS静态
内存由8位， 32,768字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片使能（CE ）提供及
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O 0
输入缓冲器
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
CE
WE
OE
行解码器
I / O
2
检测放大器
32K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
10
A
11
A
12
A
13
选购指南
1399B-10
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
L
10
60
500
50
1399B-12
12
55
500
50
1399B-15
15
50
500
50
1399B-20
20
45
500
50
单位
ns
mA
µA
µA
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
A
14
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05071牧师* D
• 3901北一街
•圣荷西
,
CA 95134
• 408-943-2600
修订后的2005年7月11日
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
