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CY7C1380C-133AC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1380C-133AC图片预览
型号: CY7C1380C-133AC
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内容描述: 18 -MB ( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线SRAM [18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 36 页 / 793 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1380C
CY7C1382C
CY7C1380C引脚定义
(续)
名字
ADSP
TQFP
84
BGA
A4
FBGA
B9
I / O
描述
输入 -
地址选通的处理器,采样
同步
在CLK ,低电平有效的上升沿。
置为低电平,地址提交
设备被捕获在地址寄存器中。
A1 : A0也加载到爆计数器。
当ADSP和ADSC都断言,只有
ADSP是公认的。 ASDP被忽略时,
CE
1
被拉高高。
输入 -
从控制器的地址选通,采样
同步
CLK的上升沿时,低电平有效。
置为低电平,地址提交
设备被捕获在地址寄存器中。
A1 : A0也加载到爆计数器。
当ADSP和ADSC都断言,只有
ADSP是公认的。
输入 -
ZZ “休眠”输入,高电平有效。
异步置为高电平,将器件置于一个
非时间关键“休眠”状态的数据
完整地保存下来。对于正常操作,这
引脚为低电平或悬空。 ZZ引脚具有
内部上拉下来。
I / O-
双向数据I / O线。
作为输入使用时,它们
同期进到一个芯片上的数据寄存器是
由CLK的上升沿触发。为输出,
它们提供包含在存储器中的数据
由地址指定的位置呈现
在读周期的前一个时钟的上升。
销的方向由OE控制。
当OE是低电平时,引脚用作
输出。高电平时, DQS和DQP
X
置于三态条件。
ADSC
85
B4
A8
ZZ
64
T7
H11
的DQ , DQPs
52,53,56,
57,58,59,
62,63,68,
69,72,73,
74,75,78,
79,2,3,6,7,8,9,
12,13,18,19,22
,
23,24,25,
28,29,51,
80,1,30
K6,L6,
M6,N6,
K7,L7,
N7,P7,
E6,F6,
G6,H6,
D7,E7,
G7,H7,
D1,E1,
G1,H1,
E2,F2,
G2,H2,
K1,L1,
N1,P1,
K2,L2,
M2,N2,
P6,D6,
D2,P2
J2,C4,J4,R4,
J6
M11,L11,
K11,J11,
J10,K10,
L10,M10,
D10,E10,
F10,G10,
D11,E11,
F11,G11,
D1,E1,F1,
G1,D2,E2,F2,
G2,J1,
K1,L1,M1,
J2,K2,L2,
M2,N11,
C11,C1,N1
V
DD
15,41,65,
91
D4 , D8 , E4 , E8 ,电源供应器
电源输入到设备的核心
F4,F8,
副。
G4,G8,H4,H8,
J4,J8,
K4,K8,L4,
L8,M4,M8
C4,C5,C6,C7,
C8,D5,D6,D7,
E5,E6,E7,F5,
F6,F7,G5,G6,
G7,H2,H5,H6,
H7,J5,J6,J7,
K5,K6,K7,
L5,L6,L7,
M5,M6,M7,N4,
N8
地面的装置的核心。
V
SS
17,40,67,
90
D3,E3,
F3,H3,
K3,M3,
N3,P3,
D5,E5,
F5,H5,
K5,M5,
N5,P5
文件编号: 38-05237牧师* D
第36 7