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CY7C1049BV33-20VC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1049BV33-20VC图片预览
型号: CY7C1049BV33-20VC
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内容描述: 512K ×8静态RAM [512K x 8 Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 167 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1049BV33
AC开关特性
[4]
在工作范围(续)
-20
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
20
13
13
0
0
13
9
0
3
8
25
15
15
0
0
15
10
0
3
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
(典型值)的第一接入
[6]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低
Z
[7]
3
8
0
20
0
25
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
0
8
3
10
3
20
8
0
10
1
20
20
3
25
10
1
25
25
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-25
马克斯。
单位
数据保持特性
在整个工作范围( L型专用)
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[3]
t
R[11]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留
时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
& LT ; 0.3V
条件
[10]
分钟。
2.0
330
0
t
RC
最大
单位
V
µA
ns
ns
注意事项:
10.没有输入可能超过V
CC
+ 0.5V
11. .t
r
& LT ; 3纳秒为-12和-15速度。吨
r
& LT ; 5纳秒为-20 NS和较慢的速度。
文件编号: 38-05139修订版**
第10个5