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CY7C1049BV33-20VC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1049BV33-20VC图片预览
型号: CY7C1049BV33-20VC
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内容描述: 512K ×8静态RAM [512K x 8 Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 167 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1049BV33
DC电气特性
在工作范围(续)
-20
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
& LT ; V
CC
GND < V
OUT
& LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大,
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
, CE& GT ; V
IH
V
IN
& GT ; V
IH
or
V
IN
& LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
& GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
& LT ; 0.3V , F = 0
Com'l / Ind'l
Com'l
L
Com'l
Ind'l
测试条件
V
CC
=最小值,
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值,
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
160
170
30
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
150
170
30
-25
马克斯。
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
mA
mA
I
SB2
8
0.5
8
0.5
mA
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
3.3V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
351Ω
R1 317Ω
戴维南等效
167Ω
产量
所有的输入脉冲
3.3V
1.73V
GND
上升时间: 1 V / ns的
90%
10%
90%
10%
下降时间:
1 V / ns的
(b)
注意:
3.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
文件编号: 38-05139修订版**
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