欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

CY7C1021B-15VC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1021B-15VC图片预览
型号: CY7C1021B-15VC
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 1兆位( 64K ×16 )静态RAM [1-Mbit (64K x 16) Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 362 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号CY7C1021B-15VC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CY7C1021B-15VC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C1021B-15VC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C1021B-15VC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C1021B-15VC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C1021B-15VC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CY7C1021B-15VC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY7C1021B-15VC的Datasheet PDF文件第9页  
CY7C1021B
CY7C10211B
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
相当于:
产量
戴维南
当量
R2
255
R 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
167
30 pF的
1.73V
R2
255
GND
上升时间: 1 V / ns的
R 481
3.0V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间: 1 V / ns的
开关特性
[6]
在整个工作范围
7C10211B-10
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
SD
t
HD
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
数据建立到写结束
从写端数据保持
10
8
7
0
0
5
0
12
9
8
0
0
6
0
15
10
10
0
0
8
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[7]
OE高到高Z
[7, 8]
CE低到低Z
CE高到高阻
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
0
5
0
10
5
0
6
3
5
0
12
6
0
7
0
5
3
6
0
15
7
3
10
5
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C1021B-12
分钟。
马克斯。
7C1021B-15
分钟。
马克斯。
单位
注意事项:
6.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间,定时1.5V的参考电平,为0的输入脉冲电平到3.0V ,并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.在任何给定的温度和电压条件下,叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载(b)部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
9.存储器的内部写入时间由CE低电平, WE LOW和BHE / BLE低的重叠限定。 CE, WE和BHE / BLE必须低到开始写,
这些信号的转换可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考终止写入的信号的前沿。
文件编号: 38-05145修订版**
第10 4