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    CY7C109-15VC 参数 Datasheet PDF下载

    CY7C109-15VC图片预览
    型号： CY7C109-15VC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×8静态RAM [128K x 8 Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 222 K
    品牌： CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号CY7C109-15VC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CY7C109-15VC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C109-15VC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C109-15VC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C109-15VC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C109-15VC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CY7C109-15VC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY7C109-15VC的Datasheet PDF文件第9页  
    CY7C109
    CY7C1009
    开关特性
    [3, 5]
    在整个工作范围
    7C109-20
    7C1009-20
    参数
    读周期
    t
    RC
    t
    AA
    t
    OHA
    t
    ACE
    t
    美国能源部
    t
    LZOE
    t
    HZOE
    t
    LZCE
    t
    HZCE
    t
    PU
    t
    PD
    读周期时间
    地址到数据有效
    从地址变化数据保持
    CE
    1
    低到数据有效，CE
    2
    HIGH到数据
    有效
    OE低到DATA有效
    OE低到低Z
    OE高到高Z
    [6, 7]
    CE
    1
    低到低Z ，CE
    2
    高到低Z
    [7]
    CE
    1
    高来高Z， CE
    2
    低到高Z
    [6, 7]
    CE
    1
    低到电， CE
    2
    高
    上电
    CE
    1
    高到掉电， CE
    2
    低
    掉电
    写周期时间
    CE
    1
    低到写入结束，CE
    2
    HIGH到写入结束
    地址建立撰写完
    从写端地址保持
    地址建立到开始写
    WE脉冲宽度
    数据建立到写结束
    从写端数据保持
    WE高到低Z
    [7]
    WE低到高Z
    [6, 7]
    20
    15
    15
    0
    0
    12
    10
    0
    3
    8
    0
    20
    3
    8
    0
    25
    0
    8
    5
    10
    0
    35
    3
    20
    8
    0
    10
    5
    15
    20
    20
    5
    25
    10
    0
    15
    25
    25
    5
    35
    15
    35
    35
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    描述
    分钟。
    马克斯。
    7C109-25
    7C1009-25
    分钟。
    马克斯。
    7C109-35
    7C1009-35
    分钟。
    分钟。
    单位
    写周期
    [8]
    t
    WC
    t
    SCE
    t
    AW
    t
    HA
    t
    SA
    t
    PWE
    t
    SD
    t
    HD
    t
    LZWE
    t
    HZWE
    25
    20
    20
    0
    0
    15
    15
    0
    5
    10
    35
    25
    25
    0
    0
    20
    20
    0
    5
    15
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    数据保持特性
    在整个工作范围（仅L型）
    参数
    V
    DR
    I
    CCDR
    t
    CDR
    t
    R
    描述
    V
    CC
    数据保留
    数据保持电流
    芯片取消到数据保留时间
    手术恢复时间
    条件
    没有输入可能超过V
    CC
    + 0.5V
    V
    CC
    = V
    DR
    = 2.0V,
    CE
    1
    ＆ GT ; V
    CC
    - 0.3V或CE
    2
    ＆ LT ; 0.3V ，
    V
    IN
    ＆ GT ; V
    CC
    - 0.3V或V
    IN
    ＆ LT ; 0.3V
    分钟。
    2.0
    50
    0
    t
    RC
    最大
    单位
    V
    µA
    ns
    ns
    阴影区域包含的初步信息。
    文件编号： 38-05032牧师**
    第12页5

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