009
CY7C109
CY7C1009
128K ×8静态RAM
特点
•高速
— t
AA
= 10纳秒
•低有功功率
- （最大值， 12纳秒） 1017毫瓦
• CMOS低待机功耗
- （最大） 55毫瓦， 4兆瓦（低功率版）
• 2.0V数据保留（低功率版）
•自动断电时取消
• TTL兼容的输入和输出
•易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE选项
高电平有效芯片使能（ CE
2
） ，一个低电平有效输出使能
（OE）和三态驱动器。写器件是accom-
通过采取芯片plished启用一个（ CE
1
）和写使能（WE ）
投入低和芯片使能2 （ CE
2
）输入高。数据
在8个I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）然后被写入到
在地址引脚指定位置（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能够一（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，所述存储器单元的内容试样
田间由地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
该CY7C109是标准的400密耳宽SOJ提供
32脚TSOP I型封装。该CY7C1009是可用
300密耳宽SOJ封装。该CY7C1009和CY7C109
在所有其它方面功能上等同的。
功能说明
该CY7C109 / CY7C1009是一个高性能的CMOS stat-
IC RAM由8位， 131,072字。容易记忆
扩展是由一个低电平有效芯片使能（ CE提供
1
） ，一
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512 x 256 x 8
ARRAY
109–2
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
109–3
I / O
3
I / O
4
I / O
5
CE
1
CE
2
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
109–1
选购指南
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
低功耗版本
阴影区域包含的初步信息。
7C109-10
7C1009-10
10
195
10
2
7C109-12
7C1009-12
12
185
10
2
7C109-15
7C1009-15
15
155
10
2
7C109-20
7C1009-20
20
140
10
—
7C109-25
7C1009-25
25
135
10
—
7C109-35
7C1009-35
35
125
10
—
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05032牧师**
•
3901北一街
•
圣荷西
•
CA 95134 • 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
