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CY7C109B-15VC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C109B-15VC图片预览
型号: CY7C109B-15VC
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内容描述: 128K ×8静态RAM [128K x 8 Static RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 379 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C109B
CY7C1009B
数据保持特性
在整个工作范围(低
只有功率版)
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
条件
没有输入可能超过V
CC
+ 0.5V
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE
1
& GT ; V
CC
- 0.3V或CE
2
& LT ; 0.3V ,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
& LT ; 0.3V
分钟。
2.0
150
0
200
马克斯。
单位
V
µA
ns
µs
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
4.5V
t
CDR
CE
V
DR
& GT ;
2V
4.5V
t
R
开关波形
读周期1号
[10, 11]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号( OE控制)
[11, 12]
地址
t
RC
CE
1
CE
2
t
ACE
OE
t
美国能源部
数据输出
V
CC
供应
当前
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
I
SB
I
CC
阻抗
注意事项:
10.设备不断选择。 OE ,CE
1
= V
IL
,CE
2
= V
IH
.
11.我们是高读周期。
12.地址有效之前或重合与CE
1
过渡LOW和CE
2
变为高电平。
文件编号: 38-05038牧师* C
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