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CY7C109B-15VC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C109B-15VC图片预览
型号: CY7C109B-15VC
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内容描述: 128K ×8静态RAM [128K x 8 Static RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 379 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C109B
CY7C1009B
128K ×8静态RAM
特点
•高速
— t
AA
= 12 ns的
•低有功功率
- 495毫瓦(最大)
• CMOS低待机功耗
- (最大) 11毫瓦(L版)
• 2.0V数据保留
•自动断电时取消
• TTL兼容的输入和输出
•易于扩展内存与CE
1
,CE
2
和OE选项
• CY7C109B是标准的400密耳宽SOJ提供
和32引脚的TSOP型余包。该CY7C1009B是
在300密耳的范围内的SOJ封装
功能说明
[1]
该CY7C109B / CY7C1009B是一个高性能的CMOS
静态RAM由8位, 131,072字。易
存储器扩展是通过一个低有效芯片使能提供
( CE
1
) ,高电平有效芯片使能( CE
2
) ,有源低
输出使能( OE) ,和三态驱动器。写入设备
通过取芯片使能一( CE完成
1
)和写
使能( WE)输入低电平,芯片使能两( CE
2
)输入
HIGH 。在8个I / O引脚的数据(I / O
0
通过I / O
7
)然后
写入的地址引脚指定的位置(A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
启用一个( CE
1
)和输出使能( OE )低,而强迫
写使能( WE)和芯片使能两( CE
2
)高。下
这些条件下,存储单元的内容
由地址引脚指定将显示在I / O引脚。
八个输入/输出引脚( I / O
0
通过I / O
7
)被放置在一个
高阻抗设备时,取消选择状态( CE
1
高或CE
2
LOW )时,输出被禁用( OE高) ,或
在写操作期间(CE
1
低,CE
2
高,和WE为低电平) 。
CY7C109B是标准的400密耳宽SOJ和32可
引脚TSOP I型包。该CY7C1009B处于可用
300密耳宽SOJ封装。该CY7C109B和CY7C1009B
在所有其它方面功能上等同的
逻辑框图
销刀豆网络gurations
[2]
SOJ
顶视图
NC
A
16
A
14
A
12
A7
A6
A5
I / O
0
输入缓冲器
A4
A3
A2
A1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
128K ×8
ARRAY
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
I / O
3
I / O
4
I / O
5
CE
1
CE
2
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
I / O
6
I / O
7
TSOP I
顶视图
(不按比例)
注意:
1.对于SRAM的系统设计指南,请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记,在互联网上提供的www.cypress.com 。
2. NC引脚未连接的芯片。
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05038牧师* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月3日