CY7C024/024A/0241
CY7C025/0251
电气特性
在工作范围（续）
参数
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
描述
工作电流
测试条件
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
输出禁用
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
7C024 / 024A / 0241-35 7C024 / 024A / 0241-55
7C025/0251–35
7C025/0251–55
单位
民
典型值
最大
民
典型值
最大
160
160
30
30
85
85
3
3
80
80
230
260
50
65
135
150
15
15
120
135
150
150
20
20
75
75
3
3
70
70
230
260
50
65
135
150
15
15
120
135
mA
mA
mA
mA
mA
待机电流
CE
L
和CE
R
≥
V
IH
,
（两个端口TTL电平）F = F
MAX[12]
待机电流
（一个端口TTL电平）
待机电流
（这两个端口CMOS
级别）
待机电流
（这两个端口CMOS
级别）
CE
L
或CE
R
≥
V
IH
,
f = f
MAX[12]
两个端口CE和CE
R
≥
V
CC
– 0.2V, V
IN
≥
V
– 0.2V
或V
IN
≤
0.2V ， F = 0
一个端口CE
L
or
CE
R
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V,
有源端口输出，女= F
MAX[12]
I
SB4
电容
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
×
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
最大
10
10
单位
pF
pF
图3. AC测试负载和波形
5V
R1 = 893Ω
产量
C = 30 pF的
R2 = 347Ω
V
TH
= 1.4V
R
TH
= 250Ω
产量
C = 30pF的
C = 5 pF的
R2 = 347Ω
5V
R1 = 893Ω
产量
（一）正常负载（负载1 ）
（二）戴维宁等效（负载1 ）
所有的输入脉冲
（三）三态延迟（负载3 ）
产量
C = 30 pF的
3.0V
GND
10%
≤
3纳秒
90%
90%
10%
≤
3纳秒
负载（负载2 ）
记
13.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-06035牧师* D
第8页21
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
