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    CY7C0251-25AC 参数 Datasheet PDF下载

    CY7C0251-25AC图片预览
    型号： CY7C0251-25AC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4K X 16/18和8K X 16/18双端口静态RAM与SEM ， INT ， BUSY [4K x 16/18 and 8K x 16/18 Dual-Port Static RAM with SEM, INT, BUSY]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 21 页 / 524 K
    品牌： CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号CY7C0251-25AC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY7C0251-25AC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号CY7C0251-25AC的Datasheet PDF文件第10页浏览型号CY7C0251-25AC的Datasheet PDF文件第11页浏览型号CY7C0251-25AC的Datasheet PDF文件第13页浏览型号CY7C0251-25AC的Datasheet PDF文件第14页浏览型号CY7C0251-25AC的Datasheet PDF文件第15页浏览型号CY7C0251-25AC的Datasheet PDF文件第16页  
    CY7C024/0241
    CY7C025/0251
    开关波形
    （续）
    写周期第1名： R / W控制时序
    [27, 28, 29, 30]
    t
    WC
    地址
    t
    HZOE
    [33]
    OE
    t
    AW
    CE
    [31,32]
    t
    SA
    读/写
    t
    HZWE
    [33]
    数据输出
    t
    PWE
    [30]
    t
    HA
    t
    LZWE
    注34
    t
    SD
    t
    HD
    注34
    DATA IN
    写周期2： CE控制时序
    [27, 28, 29, 35]
    t
    WC
    地址
    t
    AW
    CE
    [31,32]
    t
    SA
    读/写
    t
    SCE
    t
    HA
    t
    SD
    DATA IN
    t
    HD
    注意事项：
    27. R / W必须在所有的地址转换为高。
    在重叠（T时28写
    SCE
    或T
    PWE
    ）一低CE或SEM和低UB或LB的
    29. t
    HA
    从CE或R / W或（ SEM或R / W）的早期测定变为高电平，在写周期的结束。
    30.如果OE为低电平期间，一个R / W控制的写周期中，写脉冲的宽度必须是吨的大
    PWE
    或（T
    HZWE
    + t
    SD
    ），以允许在I / O驱动器关闭和数据是
    放到总线上用于所需吨
    SD
    。如果OE为高电平期间，一个R / W控制的写周期，这要求不适和写脉冲可短至
    指定的T
    PWE
    .
    31.要存取RAM ， CE = V
    IL
    ，扫描电镜= V
    IH
    .
    32.要访问高位字节， CE = V
    IL
    ， UB = V
    IL
    ，扫描电镜= V
    IH
    .
    访问低字节， CE = V
    IL
    ， LB = V
    IL
    ，扫描电镜= V
    IH
    .
    33.过渡测量± 500 mV的从稳态与5 - pF负载（包括范围和夹具） 。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
    34.在此期间， I / O引脚的输出状态，输入信号不能被应用。
    35.如果CE或SEM低电平转变同时发生或在R / W低的跳变后，输出保持在高阻抗状态。
    文件编号： 38-06035牧师* C
    第12页21

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