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    CY62148BLL-70SC 参数 Datasheet PDF下载

    CY62148BLL-70SC图片预览
    型号： CY62148BLL-70SC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K ×8静态RAM [512K x 8 Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 11 页 / 191 K
    品牌： CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号CY62148BLL-70SC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CY62148BLL-70SC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY62148BLL-70SC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY62148BLL-70SC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY62148BLL-70SC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY62148BLL-70SC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CY62148BLL-70SC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY62148BLL-70SC的Datasheet PDF文件第9页  
    CY62148B的MoBL ™
    数据保持特性
    （在整个工作范围内）
    参数
    V
    DR
    I
    CCDR
    t
    CDR[4]
    t
    R[9]
    描述
    V
    CC
    数据保留
    数据保持电流
    Com'l
    Ind'l
    手术恢复时间
    LL
    LL
    没有输入可能超过
    V
    CC
    + 0.3V
    V
    CC
    = V
    DR
    = 3.0V
    CE > V
    CC
    – 0.3V
    V
    IN
    ＆ GT ; V
    CC
    - 0.3V或
    V
    IN
    ＆ LT ; 0.3V
    条件
    分钟。
    2.0
    20
    20
    0
    t
    RC
    典型值。
    [3]
    马克斯。
    单位
    V
    µA
    µA
    ns
    ns
    芯片取消到数据保留时间
    数据保存波形
    数据保持方式
    V
    CC
    3.0V
    t
    CDR
    CE
    V
    DR
    ＆ GT ; 2V
    3.0V
    t
    R
    开关波形
    读周期1号
    [10, 11]
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    t
    OHA
    数据输出
    以前的数据有效
    数据有效
    读周期2号（ OE控制）
    [11, 12]
    地址
    t
    RC
    CE
    t
    ACE
    OE
    t
    美国能源部
    t
    LZOE
    高阻抗
    t
    LZCE
    V
    CC
    供应
    当前
    t
    PU
    50%
    t
    HZOE
    t
    HZCE
    数据有效
    t
    PD
    50%
    I
    SB
    高
    阻抗
    数据输出
    注意事项：
    9.完整的设备操作系需要线性V
    CC
    从V坡道
    DR
    到V
    CC（分钟）
    ＆ GT ; 100
    µ
    s或稳定在V
    CC（分钟）
    ＆ GT ; 100
    µ
    s.
    10.设备不断选择。 OE ，CE = V
    IL
    .
    11.我们是高读周期。
    12.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
    文件编号： 38-05039牧师* B
    第11个5

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