CY62148B的MoBL ™
512K ×8静态RAM
特点
• 4.5V - 5.5V操作
•低有功功率
- 典型工作电流：2.5毫安， F = 1兆赫
•
•
•
•
•
- 典型工作电流： 12.5毫安@频率= F
最大
低待机电流
取消时自动断电
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展CE和OE特点
CMOS的最佳速度/功耗
自动断电功能，可降低功率变
消耗超过99％时，取消选择。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置的试样
田间的地址引脚（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（ WE） HIGH读。在这些条件下， CON组
由地址引脚指定的存储单元的帐篷会
出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY62148B可在一个标准的32引脚450密耳宽
车身宽度SOIC ， 32引脚TSOP II ，以及32引脚TSOP反转
二包。
功能说明
该CY62148B是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
8位ganized为512K字。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE ） ，积极提供低
输出使能（OE ）和三态驱动器。此设备具有
逻辑框图
引脚配置
顶视图
SOIC
TSOP II
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
18
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
A
17
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512 x 256 x 8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
顶视图
反向
TSOP II
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
A
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CE
A
10
OE
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
A
18
A
15
V
cc
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05039牧师* B
A
2
A
3
A
15
A
18
A
13
A
8
A
9
A
11
A
10
•
3901北一街
•
圣荷西
•
CA 95134
•
408-943-2600
2001年10月8日
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
