初步
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
9
9
CY62128
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
相当于：
R1 1800
Ω
R1 1800
Ω
5V
产量
R2
990
Ω
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
990
Ω
GND
≤
5ns
3.0V
90%
10%
90%
10%
≤
5纳秒
所有的输入脉冲
62128-3
62128-4
戴维南等效
639
Ω
1.77V
产量
开关特性
[3,6]
在整个工作范围
62128–55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效，CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[7, 8]
CE
1
低到低Z ，CE
2
高到低Z
[8]
CE
1
高来高Z， CE
2
低到高Z
[7, 8]
CE
1
低到电， CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高到掉电， CE
2
低到掉电
写周期时间
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
55
45
45
0
0
45
45
0
55
70
60
60
0
0
50
55
5
20
0
70
0
20
5
25
5
55
20
0
25
55
55
5
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
62128–70
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[9]
阴影区域包含的信息提前
注意事项：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
6.测试条件假定为5ns或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和100pF的负载电容。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
HIGH开始写，
和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止信号的前沿
写。
3
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
