1CY 621 28
传真号： 1072
初步
CY62128
128K ×8静态RAM
特点
• 4.5V
−
5.5V操作
• CMOS的最佳速度/功耗
•低有功功率（ 70纳秒， LL版）
- 330毫瓦（最大） （60 mA）的
•低待机功耗（ 70纳秒， LL版）
— 110
µW
（最大值） （20
µA)
•自动断电时取消
• TTL兼容的输入和输出
•易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE选项
功能，可降低功耗的75％以上
取消的时候。
写设备通过采取芯片使能实现
一（ CE
1
）和写使能（WE ）输入低电平和芯片使能
2 （ CE
2
）输入高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过
I / O
7
）将被写入的地址所指定的位置
销（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能够一（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，所述存储器单元的内容试样
田间由地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
该CY62128可在一个标准的400密耳宽SOJ ，
525密耳宽（ 450密耳宽体宽） SOIC和32引脚
TSOP I型
功能说明
该CY62128是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
8位认列之为131,072字。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE提供
1
） ，高电平有效
片选（ CE
2
） ，一个低电平有效输出使能（ OE ）和
三态驱动器。该设备具有自动断电
逻辑框图
销刀豆网络gurations
顶视图
SOJ / SOIC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
I / O
2
512 x 256 x 8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
动力
下
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
CE
1
CE
2
WE
OE
COLUMN
解码器
I / O
6
I / O
7
62128-1
TSOP I
顶视图
（不按比例）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
62128-2
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
赛普拉斯半导体公司
•
3901北一街
•
圣荷西
• CA 95134 •
408-943-2600
1996年7月 - 修订1996年11月
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
