CY2291
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
电源电压............................................... - 0.5V至+ 7.0V
直流输入电压-0.5V ............................................至+ 7.0V
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
马克斯。焊接温度（ 10秒） .......................... 260℃
结温................................................ ... 150℃
封装功耗...................................... 750毫瓦
静电放电电压............................................. >2000V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
工作条件
[5]
参数
V
DD
V
DD
V
BATT
T
A
C
负载
C
负载
f
REF
描述
电源电压， 5.0V操作
电源电压， 3.3V操作
备用电池电压
商业的工作温度，环境
工业运行温度，环境
马克斯。负载电容5.0V操作
马克斯。负载电容3.3V操作
外部参考晶振
外部参考时钟
[6, 7, 8]
t
PU
所有
所有
所有
CY2291/CY2291F
CY2291I/CY2291FI
所有
所有
所有
所有
10.0
1
0.05
产品编号
分钟。
4.5
3.0
2.0
0
−40
马克斯。
5.5
3.6
5.5
+70
+85
25
15
25.0
30
50
单位
V
V
V
°C
°C
pF
pF
兆赫
兆赫
ms
上电时所有VDD的达到指定的最低电压（电源
坡道必须是单调）
电气特性，商业5.0V
参数
V
OH
V
OL
V
OH–32
V
OL–32
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
OZ
I
DD
I
DDS
I
BATT
描述
高电平输出电压余
OH
= 4.0毫安
低电平输出电压
32.768 kHz的高层次
输出电压
32.768 kHz的低层次
输出电压
低电平输入电压
[9]
输入高电流
输入低电平电流
输出漏电流
V
DD
电源电流
[10]
广告
V
DD
电源电流
在关断模式
[10]
V
BATT
电源
当前
I
OL
= 4.0毫安
I
OH
- 0.5毫安
I
OL
- 0.5毫安
2.0
0.8
<1
<1
75
10
5
10
10
250
100
50
15
V
BATT
0.5
0.4
条件
分钟。
2.4
0.4
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
µA
µA
µA
mA
µA
µA
高电平输入电压
[9]
除了水晶销
除了水晶销
V
IN
= V
DD
–0.5V
V
IN
= +0.5V
三态输出
V
DD
= V
DD
最大， 5V操作
关机活跃，
除V
BATT
V
BATT
= 3.0V
CY2291/CY2291F
注意事项：
5.电气参数由设计保证这些工作条件，除非另有说明。
6.外部输入的参考时钟必须有40 ％和60％之间的占空比，在V测
DD
/2.
7.请参考应用笔记“晶体振荡器的主题”为交流耦合的外部输入参考时钟信息。
8.振荡器电路是最佳的晶体参考和外部参考时钟高达20MHz 。对于高于20 MHz的外部基准时钟，它是
建议在150Ω上拉电阻到V
DD
连接到XOUT引脚。
9.的Xtal输入具有CMOS阈值。
10.负荷=最大，V
IN
= 0V或V
DD
，典型值（ -104 ）配置， CPUCLK = 66兆赫。其它的结构会有所不同。功率可以由以下近似
公式（ 0.65乘以为3V操作） ：我
DD
=10+0.06•(F
CPLL
+F
UPLL
+2•F
SPLL
)+0.27•(F
CLKA
+F
CLKB
+F
CLKC
+F
CLKD
+F
CPUCLK
+F
CLKF
+F
XBUF
).
文件编号： 38-07189修订版**
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CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
