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    CY7C1041CV33-12ZI 参数 Datasheet PDF下载

    CY7C1041CV33-12ZI图片预览
    型号： CY7C1041CV33-12ZI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×16静态RAM [256K x 16 Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 11 页 / 229 K
    品牌： CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号CY7C1041CV33-12ZI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C1041CV33-12ZI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C1041CV33-12ZI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C1041CV33-12ZI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C1041CV33-12ZI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CY7C1041CV33-12ZI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY7C1041CV33-12ZI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号CY7C1041CV33-12ZI的Datasheet PDF文件第10页  
    CY7C1041CV33
    Switching Waveforms
    (continued)
    Write Cycle No. 1 (CE Controlled)
    [14, 15]
    t
    WC
    ADDRESS
    CE
    t
    SA
    t
    SCE
    t
    AW
    t
    PWE
    WE
    t
    BW
    BHE, BLE
    t
    SD
    DATAI/O
    t
    HD
    t
    HA
    Write Cycle No. 2 (BLE or BHE Controlled)
    t
    WC
    ADDRESS
    BHE, BLE
    t
    SA
    t
    BW
    t
    AW
    t
    PWE
    WE
    t
    SCE
    CE
    t
    SD
    DATAI/O
    Notes:
    14. Data I/O is high-impedance if OE or BHE and/or BLE = V
    IH
    .
    15. If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state.
    t
    HA
    t
    HD
    Document #: 38-05134 Rev. *D
    Page 6 of 11

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