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CY7C1361B-133BGC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1361B-133BGC图片预览
型号: CY7C1361B-133BGC
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内容描述: 9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流通型SRAM [9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 34 页 / 820 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS ]
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CY7C1361B  
CY7C1363B  
Timing Diagrams (continued)  
Read/Write Cycle Timing[21, 23, 24]  
t
CYC  
CLK  
t
t
CL  
CH  
t
t
ADH  
ADS  
ADSP  
ADSC  
t
t
AH  
AS  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
ADDRESS  
t
t
WEH  
WES  
BWE, BW  
X
t
t
CEH  
CES  
CE  
ADV  
OE  
t
t
DH  
DS  
t
OELZ  
t
High-Z  
D(A3)  
D(A5)  
D(A6)  
Data In (D)  
t
OEHZ  
CDV  
Data Out (Q)  
Q(A1)  
Q(A2)  
Q(A4)  
Q(A4+1)  
Q(A4+2)  
Q(A4+3)  
Back-to-Back  
Back-to-Back READs  
Single WRITE  
BURST READ  
WRITEs  
DON’T CARE  
UNDEFINED  
Notes:  
23.  
24.  
.
The data bus (Q) remains in high-Z following a WRITE cycle, unless a new read access is initiated by  
GW is HIGH.  
ADSP or ADSC  
25. Device must be deselected when entering ZZ mode. See Cycle Descriptions table for all possible signal conditions to deselect the device.  
26. DQs are in high-Z when exiting ZZ sleep mode.  
Document #: 38-05302 Rev. *B  
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