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7C1351-40 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 7C1351-40
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内容描述: 128Kx36流通型SRAM与NOBL TM架构 [128Kx36 Flow-Through SRAM with NoBL TM Architecture]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 185 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS ]
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CY7C1351  
Switching Waveforms  
Read/Write/Deselect Sequence  
CLK  
t
t
CENH  
t
t
CENH  
CENS  
CENS  
t
t
CL  
t
CYC  
CH  
CEN  
t
AS  
WA2  
AH  
WA5  
RA1  
RA3  
RA4  
RA6  
RA7  
ADDRESS  
t
WE  
t
t
WS  
WH  
t
CES  
t
CEH  
CE  
t
DOH  
t
CHZ  
t
DOH  
t
t
CLZ  
CHZ  
Q6  
Out  
Q4  
Out  
D5  
In  
Data-  
In/Out  
D2  
In  
Q7  
Out  
Q3  
Out  
Q1  
Out  
Device  
t
originally  
CDV  
deselected  
WE is the combination of WE & BWS to define a write cycle (see Write Cycle Description table).  
x
CE is the combination of CE , CE , and CE . All chip selects need to be active in order to select  
1
2
3
the device. Any chip select can deselect the device. RAx stands for Read Address X, WAx stands for  
Write Address X, Dx stands for Data-in X, Qx stands for Data-out X.  
= UNDEFINED  
= DONT CARE  
10