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C3D1P7060Q 参数 Datasheet PDF下载

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型号: C3D1P7060Q
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内容描述: 碳化硅肖特基二极管 [Silicon Carbide Schottky Diode]
分类和应用: 肖特基二极管
文件页数/大小: 6 页 / 479 K
品牌: CREE [ CREE, INC ]
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电气特性
符号
V
F
I
R
Q
C
参数
正向电压
反向电流
总容性充电
典型值。
1.5
1.8
10
20
5.6
100
7
6
马克斯。
1.7
2.4
50
100
单位
V
μA
nC
测试条件
I
F
= 1.7 A T
J
=25°C
I
F
= 1.7 A T
J
=175°C
V
R
= 600 V T,
J
=25°C
V
R
= 600 V T,
J
=175°C
V
R
= 600 V, I
F
= 1.7A
di/dt = 500 A/μs
T
J
= 25°C
V
R
= 0 V, T
J
= 25°C, f = 1 MHz
V
R
= 200 V, T
J
= 25˚C, f = 1 MHz
V
R
= 400 V, T
J
= 25˚C, f = 1 MHz
C
总电容
pF
注意:
1.
这是多数载流子二极管,所以没有反向恢复电荷。
热特性
符号
R
θJC
参数
封装热阻从结到管壳
典型值。
3.8
单位
° C / W
典型性能
3.5
10.00
9.00
3.0
2.5
T
J
=-55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 75°C
T
J
=125°C
T
J
=150°C
8.00
7.00
6.00
I
F
(A)
I
R
(μA)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
2.0
5.00
4.00
3.00
2.00
1.5
1.0
0.5
1.00
0.0
0.00
0
200
400
600
800
1000
1200
V
F
(V)
Figure 1. Forward Characteristics
V
R
(V)
Figure 2. Reverse Characteristics
2
C3D1P7060Q启示录 -