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    C3D1P7060Q 参数 Datasheet PDF下载

    C3D1P7060Q图片预览
    型号： C3D1P7060Q
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 碳化硅肖特基二极管 [Silicon Carbide Schottky Diode]
    分类和应用： 肖特基二极管
    文件页数/大小： 6 页 / 479 K
    品牌： CREE [ CREE, INC ]
     浏览型号C3D1P7060Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号C3D1P7060Q的Datasheet PDF文件第3页浏览型号C3D1P7060Q的Datasheet PDF文件第4页浏览型号C3D1P7060Q的Datasheet PDF文件第5页浏览型号C3D1P7060Q的Datasheet PDF文件第6页  
    C3D1P7060Q
    碳化硅肖特基二极管
    V
    RRM
    I
    F;
    =
    600 V
    为Z-R
    ec
    ™
    R
    ECTIFIER
    特点
    包
    T
    C
    <150˚C
    = 1.7 A
    Q
    c
    =
    5.6 nC
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    600-Volt Schottky Rectifier
    优化PFC升压二极管的应用
    零反向恢复电流
    高频率工作
    温度独立的开关行为
    极快的切换
    在V正温度系数
    F
    PowerQFN 3.3x3.3
    好处
    •
    •
    •
    •
    •
    小型紧凑的表面贴装封装
    基本上没有开关损耗
    高效率
    降低散热器的要求
    并行设备无热失控
    应用
    •
    •
    开关模式电源
    LED照明
    产品型号
    C3D1P7060Q
    包
    QFN 3.3
    记号
    C3D1P7060
    最大额定值
    符号参数
    V
    RRM
    V
    RSM
    V
    DC
    I
    F
    I
    FRM
    I
    FSM
    P
    合计
    T
    J
    , T
    英镑
    T
    c
    重复峰值反向电压
    浪涌峰值反向电压
    阻断电压DC
    连续正向电流
    重复峰值正向浪涌电流
    非重复性峰值正向浪涌电流
    功耗
    工作结温和存储温度
    最大外壳温度
    价值
    600
    600
    600
    1.7
    3
    7
    4.4
    15
    12
    39
    17
    -55〜
    +175
    150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    W
    ˚C
    ˚C
    测试条件
    记
    T
    C
    <150˚C, No AC Component
    T
    C
    <135˚C, No AC Component
    T
    C
    =25˚C, t
    P
    =10 ms, Half Sine pulse
    T
    C
    =110˚C, t
    P
    =10 ms, Half Sine pulse
    T
    C
    =25˚C, t
    P
    =10 ms, Half Sine pulse
    T
    C
    =110˚C, t
    P
    =10 ms, Half Sine pulse
    T
    C
    =25˚C
    T
    C
    =110˚C
    SEE
    Fig 3
    -
    D
    1
    P
    760
    Q
    Re
    v.
    Da
    ta
    sh
    欧洲东部时间：
    C3
    如有更改，恕不另行通知。
    www.cree.com
    1

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