C3M0065090J 参数 Datasheet PDF下载

型号：	C3M0065090J
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内容描述：	[Silicon Carbide Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 1336 K
品牌：	CREE [ CREE, INC ]

Test Circuit Schematic

D₁

C3D08060G

8A, 60V

L=77 uH

SiC Schottky

V_DC

C_DC=42.3 uF

Q₂

R_G

D.U.T

C3M0065090D

Figure 30. Clamped Inductive Switching

Waveform Test Circuit

Q₁

R_G

L=77 uH

D.U.T

C3M0065090D

V_GS= - 3 V

V_DC

C_DC=42.3 uF

Q₂

R_G

C3M0065090D

Figure 31. Body Diode Recovery Test Circuit

C3M0065090J Rev. A

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