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    IRF640 参数 Datasheet PDF下载

    IRF640图片预览
    型号： IRF640
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型功率MOS晶体管 [N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 106 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号IRF640的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF640的Datasheet PDF文件第3页  
    半导体
    IRF640
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    V
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    评级
    漏源击穿
    电压
    栅极阈值电压
    零栅压漏
    当前
    栅源漏
    当前
    漏源导通电阻
    测试条件（S ）
    民
    200
    2
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    3
    -
    -
    -
    0.15
    最大
    -
    4
    25
    单位
    V
    V
    µA
    I
    D
    = 250 μA ，V
    GS
    = 0 V
    I
    D
    = 250 μA ，V
    GS
    = V
    DS
    V
    DS
    = 200 V, V
    GS
    = 0 V
    T
    j
    = 25 °C
    V
    DS
    = 200 V, V
    GS
    = 0 V
    T
    j
    = 125 °C
    V
    GS
    = 20 V, V
    DS
    = 0 V
    I
    D
    = 10 A，V
    GS
    = 10 V
    250
    100
    0.18
    nA
    Ω
    I
    GSS
    R
    DS （ ON）
    动态特性
    符号
    g
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    评级
    跨
    输入电容
    输出电容
    反向传输
    电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    测试条件（S ）
    民
    7
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值
    11
    1200
    200
    60
    20
    145
    145
    110
    最大单位
    -
    1560
    260
    80
    50
    300
    300
    230
    S
    V
    DS
    = 2*I
    D
    *R
    DS （ ON）最大值
    I
    D
    = 9 A
    V
    GS
    = 0 V, V
    DS
    = 25 V
    F = 1MHz的
    pF
    V
    DD
    = 100 V,
    I
    D
    = 18 A，R
    GS
    = 25
    Ω
    ns
    反向二极管
    符号
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    T
    rr
    Q
    rr
    评级
    逆二极管连续
    正向电流。
    逆二极管直流，
    脉冲。
    逆二极管正向
    电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    测试条件（S ）
    民
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    130
    0.8
    最大
    18
    单位
    A
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 25°C
    V
    GS
    = 0 V，I
    F
    = 18 A
    V
    R
    = 25 V，I
    F
    = 18 A
    的di / dt = 100 A / μs的，T
    C
    =
    150°C
    72
    2
    -
    -
    V
    ns
    µC
    2/3
    09/11/2012
    半导体COMSET

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