IRF640 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF640
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内容描述：	N沟道增强型功率MOS晶体管 [N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 106 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

半导体

IRF640

N沟道增强模式

功率MOS晶体管

特征

N沟道在一个塑料TO220封装。

它们被设计用于在高速功率开关，低

电压，继电器驱动器和通用切换

应用程序。

DC-DC & DC - AC转换器用于电信，工业和照明

设备。

符合RoHS指令。

绝对最大额定值

符号

DS （ ON）

英镑

评级

漏源电压

连续漏电流T

= 37°C

脉冲漏电流T

= 25°C

雪崩电流，通过电讯有限公司

JMAX

雪崩能量，单脉冲

= 18 A，V

= 50 V ，T

= 25°C

雪崩能量，被T周期性有限公司

JMAX

栅源电压

漏源导通电阻

在案件温T功耗

= 25°C

工作温度

存储温度范围

价值

200

280

0.18

125

150

-55到+150

单位

Ω

°C

热特性

符号

thJC

thJA

评级

热阻，结案件

热阻，结到环境

价值

62.5

单位

° C / W

1/3

09/11/2012

半导体COMSET

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