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    BDX66_12 参数 Datasheet PDF下载

    BDX66_12图片预览
    型号： BDX66_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅达林顿功率晶体管 [PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 83 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BDX66_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BDX66_12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BDX66_12的Datasheet PDF文件第4页  
    BDX66 - A - B - C
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    评级
    集电极 - 发射极饱和
    电压（*）
    测试条件（S ）
    -I
    C
    =10 A
    -I
    B
    = 40毫安
    BDX66
    BDX66A
    BDX66B
    BDX66C
    BDX66
    BDX66A
    BDX66B
    BDX66C
    BDX66
    BDX66A
    BDX66B
    BDX66C
    民
    典型值
    最大
    单位
    -V
    CE （ SAT ）
    -
    -
    2
    V
    -V
    BE
    基射极电压（ 1&2 ）
    -V
    CE
    =3 V
    -I
    C
    =10 A
    -
    -
    2,5
    V
    V
    F
    二极管的正向电压
    I
    F
    =10 A
    I
    E
    = 0 ， -V
    CB
    =-10V
    F = 1 MHz的
    V
    CC
    = 12V ，-I
    C
    =10 A
    -I
    B1
    = I
    B2
    = 40毫安
    -
    2
    -
    V
    C
    22b
    t
    on
    t
    关闭
    f
    的hFE
    开关特性
    -
    -
    -
    -
    300
    1
    3.5
    60
    -
    -
    -
    -
    pF
    µs
    BDX66
    BDX66A
    -V
    CE
    = 3 V ， -I
    C
    =5 A
    BDX66B
    BDX66C
    千赫
    （ * ）脉冲宽度
    ≈
    300
    µs,
    占空比
    ∠
    2.0%
    24/10/2012
    半导体COMSET
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