BDX66_12 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BDX66_12
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内容描述：	PNP硅达林顿功率晶体管 [PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 83 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

BDX66 - A - B - C

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

评级

测试条件（S ）

BDX66

BDX66A

BDX66B

BDX66C

BDX66

BDX66A

BDX66B

BDX66C

BDX66

BDX66A

BDX66B

BDX66C

BDX66

BDX66A

民

100

120

典型值

2000

最大

单位

-V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极击穿-I

=0.1 A

L=25mH

电压（*）

-V

=30 V

-V

=40 V

-V

=50 V

-V

=60 V

-V

=5 V

-V

=60 V

-V

=40 V

例

=200°C

-V

=80 V

-V

=50 V

例

=200°C

-V

=100 V

-V

=60 V

例

=200°C

-V

=120 V

-V

=70 V

例

=200°C

-V

=3 V

- I

=1 A

-I

首席执行官

收藏家Cuto FF电流

-I

EBO

发射Cuto FF电流

5.0

-I

CBO

集电极 - 基极截止

当前

BDX66B

BDX66C

BDX66

BDX66A

BDX66B

BDX66C

BDX66

BDX66A

BDX66B

BDX66C

BDX66

BDX66A

BDX66B

BDX66C

直流电流增益

-V

=3 V

- I

=10 A

1000

-V

=3 V

- I

=16 A

1000

24/10/2012

半导体COMSET

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