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    BDT63B 参数 Datasheet PDF下载

    BDT63B图片预览
    型号： BDT63B
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    内容描述： 硅达林顿功率晶体管 [SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 111 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BDT63B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BDT63B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BDT63B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BDT63B的Datasheet PDF文件第5页  
    半导体
    BDT63-A-B-C
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    评级
    BDT63
    BDT63A
    BDT63B
    BDT63C
    BDT63
    BDT63A
    BDT63B
    BDT63C
    BDT63
    BDT63A
    BDT63B
    BDT63C
    BDT63
    BDT63A
    BDT63B
    BDT63C
    BDT63
    BDT63A
    BDT63B
    BDT63C
    民
    典型值
    最大
    单位
    V
    BE（上）
    基射极电压
    I
    C
    = 3 A，V
    CE
    = 3 V
    (*)
    -
    -
    2.5
    V
    V
    CE
    = 3.0 V，I
    C
    = 3 A
    h
    FE
    直流电流增益（ * ）
    V
    CE
    = 3.0 V，I
    C
    = 10 A
    1000
    -
    -
    -
    -
    3000
    -
    V
    ECF
    C- ê二极管正向
    电压
    I
    F
    = 3 A
    -
    -
    2
    V
    C
    OB
    输出电容
    I
    E
    = 0, V
    CB
    = 10 V
    f
    TEST
    = 1MHz的
    -
    100
    -
    pF
    开关时间
    符号
    t
    on
    t
    关闭
    评级
    开启时间
    打开-O FF时间
    测试条件（S ）
    I
    C
    = 3 A，V
    CC
    = 10 V
    I
    B1
    = -I
    B2
    = 12毫安
    民
    -
    -
    典型值
    1
    5
    最大
    2.5
    10
    单位
    µs
    （ * ）脉冲宽度
    ≈
    300
    µs,
    占空比
    ∠
    2.0%
    26/09/2012
    半导体COMSET
    4|5

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