欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BDT63B 参数 Datasheet PDF下载

BDT63B图片预览
型号: BDT63B
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅达林顿功率晶体管 [SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 111 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BDT63B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BDT63B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BDT63B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BDT63B的Datasheet PDF文件第5页  
半导体
BDT63-A-B-C
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件(S )
典型值
最大
单位
I
E
= 0, V
CB
= V
CBO
最大
I
CBO
集电极截止
当前
I
E
= 0, V
CB
=1/2
V
CBO
最大
T
J
= 150 °C
I
E
= 0, V
CE
= 1/2
V
首席执行官
最大
I
首席执行官
集电极截止
当前
I
EBO
发射极截止
当前
V
EB
= 5 V,I
C
= 0
V
首席执行官
集电极 - 发射极
击穿电压
I
C
= 30 mA时,我
B
= 0
I
C
= 3 A,I
B
= 12毫安
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极
饱和电压( * )
I
C
= 8 A,I
B
± 80毫安
BDT63
BDT63A
BDT63B
BDT63C
BDT63
BDT63A
BDT63B
BDT63C
BDT63
BDT63A
BDT63B
BDT63C
BDT63
BDT63A
BDT63B
BDT63C
BDT63
BDT63A
BDT63B
BDT63C
BDT63
BDT63A
BDT63B
BDT63C
BDT63
BDT63A
BDT63B
BDT63C
-
-
0.2
mA
-
-
2
mA
-
-
0.5
mA
-
60
80
100
120
-
-
-
-
-
-
-
5.0
-
-
-
-
2
mA
V
V
-
-
2.5
26/09/2012
半导体COMSET
3|5